最近清華大學物理系低維量子物理國家重點實驗室博士生趙潔、納米中心梁倞在導師范守善院士和魏洋副研究員、李群慶教授的指導下,發展了可用于原位TEM的石墨烯微加熱芯片。他們將二維石墨烯材料代替傳統的金屬電阻加熱器,大幅提升了原位加熱芯片的性能。該加熱芯片可在26.31 ms內加熱至800 ℃,功耗僅為0.025 mW/1000 μm2。同時,在加熱至650℃時,芯片因加熱產生的形變僅約為50 nm,相比傳統的金屬加熱芯片,該形變降低了約兩個數量級,有效解決了在加熱過程中芯片觀察窗口因受熱形變引發的失焦問題。石墨烯薄膜與懸空氮化硅窗口的結合不僅減小了器件整體的熱容,同時也因為石墨烯表面無懸掛鍵,石墨烯與氮化硅之間為范德瓦爾斯接觸,界面作用力較弱,改善了因熱膨脹系數不匹配導致的加熱變形問題。因此,得益于石墨烯的引入,該芯片升溫快、功耗低且高溫變形小。這項工作為石墨烯的芯片級應用和原位TEM表征技術開辟了新的發展方向。
這項研究成果以 “Graphene Microheater Chips for In Situ TEM” 為題發表在國際著名學術期刊Nano Letters上。清華大學物理系魏洋副研究員和李群慶教授為該文的通訊作者,清華大學物理系博士生趙潔、納米中心梁倞為文章的第一作者。該項工作得到科技部(2018YFA0208401, 2017YFA0205803)、國家自然科學基金(61774090, 51727805)、廣東省重點領域研發計劃(2020B010169001)和清華-富士康納米科技研究中心的支持。
全文鏈接: https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.nanolett.2c03510